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Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
10
10
150 C
1
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
Bottom : .0 V
1
o
10
10
25 C
-55 C
0
0
o
o
10
10
10
10
10
-1
-1
※ Notes :
1. 250μs Pulse Test
2. T C = 25 ℃
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
-1
2
4
※ Notes :
1. V DS = 40V
2. 250μ s Pulse Test
6 8
V GS , Gate-Source Voltage [V]
10
3.5
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
3.0
2.5
V GS = 10V
1
10
2.0
0
1.5
V GS = 20V
1.0
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250μs Pulse Test
10
0.5
0
5
10
15
20
-1
0. 2
0.4
0.6
0.8
1. 0
1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
2000
1800
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C os s = C ds + C gd
C rs s = C gd
12
1600
10
V DS = 120V
1400
1200
1000
C iss
C oss
8
6
V DS = 300V
V DS = 480V
800
600
400
200
C rss
※ Notes ;
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
※ Note : I D = 8A
10
10
10
0
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
0
5
10 15 20
Q G , Total Gate Charge [nC]
25
30
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF8N60C Rev. C0
3
www.fairchildsemi.com
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